Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRFR3711ZTRRPBF

  • irfr3711ztrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZCTRPBF

  • irfr3711zctrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707ZCTRLP

  • irfr3707zctrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3706CTRRPBF

  • irfr3706ctrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3706CTRLPBF

  • irfr3706ctrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3704ZCPBF

  • irfr3704zcpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3504TRRPBF

  • irfr3504trrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 30A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3418TRLPBF

  • irfr3418trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 80V 70A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3510pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3303CPBF

  • irfr3303cpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 33A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR224BTM_TC002

  • irfr224btm.tc002
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR220NCPBF

  • irfr220ncpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR220,118

  • irfr220.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR15N20DTRRP

  • irfr15n20dtrrp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 17A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR13N20DCTRRP

  • irfr13n20dctrrp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 13A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR13N20DCTRLP

  • irfr13n20dctrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 13A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR13N20DCPBF

  • irfr13n20dcpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 13A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR12N25DTRRP

  • irfr12n25dtrrp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR12N25DTRLP

  • irfr12n25dtrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR12N25DCTRRP

  • irfr12n25dctrrp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR12N25DCTRLP

  • irfr12n25dctrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь