Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRFR12N25DCPBF

  • irfr12n25dcpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 250V 14A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR120NCTRLPBF

  • irfr120nctrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR120NCPBF

  • irfr120ncpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR1010ZTRRPBF

  • irfr1010ztrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFN214BTA_FP001

  • irfn214bta.fp001
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFH5053TR2PBF

  • irfh5053tr2pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1510pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFB3206GPBF

  • irfb3206gpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8721GPBF

  • irf8721gpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8714GTRPBF

  • irf8714gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8707GTRPBF

  • irf8707gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7805ZGTRPBF

  • irf7805zgtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7805ZGPBF

  • irf7805zgpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2080pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7707GTRPBF

  • irf7707gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2361pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7706GTRPBF

  • irf7706gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2211pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7705GTRPBF

  • irf7705gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2774pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7704GTRPBF

  • irf7704gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7703GTRPBF

  • irf7703gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7702GTRPBF

  • irf7702gtrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3470pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF640,127

  • irf640.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF630BTSTU_FP001

  • irf630btstu.fp001
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь