Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SUM90P10-19L-E3
- sum90p10.19l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 326nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM90N03-2M2P-E3
- sum90n03.2m2p.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 257nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12065pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM90P10-19-E3
- sum90p10.19.e3
- VISHAY
- P-Channel POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM75N06-09L-E3
- sum75n06.09l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM70N03-09CP-E3
- sum70n03.09cp.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM70N04-07L-E3
- sum70n04.07l.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM65N20-30-E3
- sum65n20.30.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM55P06-19L-E3
- sum55p06.19l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM60N10-17-E3
- sum60n10.17.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM47N10-24L-E3
- sum47n10.24l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM52N20-39P-E3
- sum52n20.39p.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 20A, 15V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4220pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM45N25-58-E3
- sum45n25.58.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM40N15-38-E3
- sum40n15.38.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM40N10-30-E3
- sum40n10.30.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM36N20-54P-E3
- sum36n20.54p.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 20A, 15V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 127nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM33N20-60P-E3
- sum33n20.60p.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 20A, 15V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 113nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2735pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM27N20-78-E3
- sum27n20.78.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM18N25-165-E3
- sum18n25.165.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110P06-07L-E3
- sum110p06.07l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11400p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM23N15-73-E3
- sum23n15.73.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1290pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК