Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SUM110P06-08L-E3
- sum110p06.08l.e3
- VISHAY
- P-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110P04-05-E3
- sum110p04.05.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110P08-11L-E3
- sum110p08.11l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10850
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110P04-04L-E3
- sum110p04.04l.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N10-09-E3
- sum110n10.09.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N06-3M9H-E3
- sum110n06.3m9h.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N06-3M4L-E3
- sum110n06.3m4l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N05-06L-E3
- sum110n05.06l.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N04-2M3L-E3
- sum110n04.2m3l.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N04-05H-E3
- sum110n04.05h.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N04-04-E3
- sum110n04.04.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N04-03-E3
- sum110n04.03.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM110N04-03P-E3
- sum110n04.03p.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUM09N20-270-E3
- sum09n20.270.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P08-25L-E3
- sud50p08.25l.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P10-43-E3
- sud50p10.43.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P06-15L-E3
- sud50p06.15l.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P10-43L-E3
- sud50p10.43l.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P08-26-E3
- sud50p08.26.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P04-09L-E3
- sud50p04.09l.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК