Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP4N150
- stp4n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP45NF3LL
- stp45nf3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 45A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP45NF06
- stp45nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 38A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 980pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP45NE06
- stp45ne06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 45A TO-220 Серия: STripFET™ ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP42N65M5
- stp42n65m5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4650pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40NF12
- stp40nf12
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 120V 40A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40NF20
- stp40nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40NS15
- stp40ns15
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 150V 40A TO-220 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40NF10L
- stp40nf10l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40NF10
- stp40nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40NF03L
- stp40nf03l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP40N20
- stp40n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NK90ZFP
- stp3nk90zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NK80Z
- stp3nk80z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NK60ZFP
- stp3nk60zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NK90Z
- stp3nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 3A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NK60Z
- stp3nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 31
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NK100Z
- stp3nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP3NB100
- stp3nb100
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК