Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP62NS04Z
- stp62ns04z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 33V 62A TO-220 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 33V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1330pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NF06L
- stp60nf06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NF06FP
- stp60nf06fp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1810pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NF10
- stp60nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4270pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NF06
- stp60nf06
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NF03L
- stp60nf03l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2550pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NE06L-16
- stp60ne06l.16
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60N55F3
- stp60n55f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP60NE06-16
- stp60ne06.16
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6200pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK90Z
- stp5nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK80Z
- stp5nk80z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK80ZFP
- stp5nk80zfp
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK40Z
- stp5nk40z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 3A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK60Z
- stp5nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK60ZFP
- stp5nk60zfp
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK50Z
- stp5nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK52ZD
- stp5nk52zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 520V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 52
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NK100Z
- stp5nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NB60
- stp5nb60
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 884pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP5NB40
- stp5nb40
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 405p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК