Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP210N75F6
- stp210n75f6
- ST Microelectronics
- TO220-3/N-channel 75 V, 3 mO, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM65N
- stp20nm65n
- ST Microelectronics
- TO220-3/N-channel 650 V, 0.250 O, 15 A second generation MDmesh Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM60A
- stp20nm60a
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 20A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM60FD
- stp20nm60fd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM60FP
- stp20nm60fp
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM60
- stp20nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM50FP
- stp20nm50fp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 20A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NF20
- stp20nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM50FD
- stp20nm50fd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NF06
- stp20nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NF06L
- stp20nf06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NK50Z
- stp20nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 119nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NM50
- stp20nm50
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20NE06L
- stp20ne06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP20N20
- stp20n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP200NF04L
- stp200nf04l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP200NF04
- stp200nf04
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP200NF03
- stp200nf03
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP19NM65N
- stp19nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК