Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP19NB20
- stp19nb20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP18NM80
- stp18nm80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP185N55F3
- stp185n55f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP180N55F3
- stp180n55f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP17NK40ZFP
- stp17nk40zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NF25
- stp16nf25
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 13A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NM50N
- stp16nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP17NK40Z
- stp17nk40z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NS25
- stp16ns25
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1270
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NK65Z
- stp16nk65z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 13A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2750p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NS25FP
- stp16ns25fp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 16A TO-220FP Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NK60Z
- stp16nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2650pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NF06FP
- stp16nf06fp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NF06L
- stp16nf06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 345pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16NF06
- stp16nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP16N65M5
- stp16n65m5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP15NM65N
- stp15nm65n
- ST Microelectronics
- TO220-3/N-channel 650 V, 0.35 O, 12 A second generation MDmesh Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP15NM60N
- stp15nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК