Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

STF20NF06

  • stf20nf06
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF20NK50Z

  • stf20nk50z
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 119nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF20NF20

  • stf20nf20
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF20N20

  • stf20n20
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF19NF20

  • stf19nf20
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF18N55M5

  • stf18n55m5
  • ST Microelectronics
  • TO220FP/N-channel 550 V, 0.18 Ohm, 13 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF19NM50N

  • stf19nm50n
  • ST Microelectronics
  • TO220FP/N-channel 500 V, 0.2 O, 14 A MDmesh II Power MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF18NM60N

  • stf18nm60n
  • GLENAIR
  • 0L MDMOS 600V TO220 -  - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 300 °C)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF18NM80

  • stf18nm80
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF17NF25

  • stf17nf25
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF16NM50N

  • stf16nm50n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF16NK60Z

  • stf16nk60z
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF16NF25

  • stf16nf25
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 250V 13A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF16N65M5

  • stf16n65m5
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF15NM65N

  • stf15nm65n
  • GLENAIR
  • TO-220F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF15NM60N

  • stf15nm60n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF14NM65N

  • stf14nm65n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF15NM60ND

  • stf15nm60nd
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF14NM50N

  • stf14nm50n
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STF13NM60N

  • stf13nm60n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь