Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STF12PF06
- stf12pf06
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF12NK60Z
- stf12nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1740pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF12NM50N
- stf12nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF12NM60N
- stf12nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF13NM50N
- stf13nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF12N65M5
- stf12n65m5
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF11NM80
- stf11nm80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10NM50N
- stf10nm50n
- ST Microelectronics
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10NM60N
- stf10nm60n
- GLENAIR, ST
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10NM65N
- stf10nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF11NM60ND
- stf11nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF11NM50N
- stf11nm50n
- ST Microelectronics
- TO220FP/N-channel 500 V, 0.4 O, 8.5 A MDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10NM60ND
- stf10nm60nd
- ST Microelectronics
- TO220FP/N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, FDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF11NM60N
- stf11nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10NK50Z
- stf10nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1219
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10N65K3
- stf10n65k3
- ST Microelectronics
- TO220FP/N-channel 650 V, 0.9 O, 10 A,SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF10N62K3
- stf10n62k3
- ST Microelectronics
- TO220FP/N-channel 620 V, 0.68 O, 8.4 A,SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD9NM50N
- std9nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК