Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD60NF3LLT4
- std60nf3llt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 60A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD60N3LH5
- std60n3lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 48A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NM60T4
- std5nm60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NM60-1
- std5nm60.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 5A IPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK60ZT4
- std5nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NM50T4
- std5nm50t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 415pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK52ZD-1
- std5nk52zd.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 520V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 529
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK52ZD
- std5nk52zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 520V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 529p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK50ZT4
- std5nk50zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK50Z-1
- std5nk50z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK40ZT4
- std5nk40zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 3A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5NK40Z-1
- std5nk40z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 3A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5N20LT4
- std5n20lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 242pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5N20T4
- std5n20t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD55NH2LLT4
- std55nh2llt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 40A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 990pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD50NH02LT4
- std50nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 50A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD50NH02L-1
- std50nh02l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК