Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD3NK80Z-1
- std3nk80z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK80ZT4
- std3nk80zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK60ZT4
- std3nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 311p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK60Z-1
- std3nk60z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 311p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK50ZT4
- std3nk50zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3N62K3
- std3n62k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 620V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 385pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD38NH02LT4
- std38nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 38A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD38NH02L-1
- std38nh02l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 38A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3LN62K3
- std3ln62k3
- ST Microelectronics
- DPAK/N-channel 620 V, 2.5 O , 2.5 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD35NF3LLT4
- std35nf3llt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD35NF06T4
- std35nf06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD35NF06LT4
- std35nf06lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30PF03LT4
- std30pf03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 24A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1670pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30PF03L-1
- std30pf03l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 24A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1670pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NF06T4
- std30nf06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 28A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NF06LT4
- std30nf06lt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NF06
- std30nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 28A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NF03LT4
- std30nf03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NK90ZT4
- std2nk90zt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NE06LT4
- std30ne06lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 30A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК