Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP5NK50ZFP
- stp5nk50zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 53
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP300NH02L
- stp300nh02l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 109.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7055
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP19NF20
- stp19nf20
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 200V 15A TO-220 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 80
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP17NF25
- stp17nf25
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP141NF55
- stp141nf55
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL6NM60N
- stl6nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF13NK50Z
- stf13nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD7NK30Z
- std7nk30z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 300V 5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD65NF06
- std65nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK100Z
- std3nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD36NH02L
- std36nh02l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 30A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NF04LT
- std30nf04lt
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 30A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD26NF10
- std26nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD17NF25
- std17nf25
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 17A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB30NF20
- stb30nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1597pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB300NH02L
- stb300nh02l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 109.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7055p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB13NM50N
- stb13nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB12NM60N
- stb12nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSR1N60BTM
- ssr1n60btm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК