Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SFR9110TF
- sfr9110tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 335pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFR9034TF
- sfr9034tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 14A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1155pF @ 25V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFR9014TF
- sfr9014tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFP9640L
- sfp9640l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 11A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFP9640
- sfp9640
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 11A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFP9630
- sfp9630
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFP9634
- sfp9634
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 5A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 975pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFP9530
- sfp9530
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1035pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFP9540
- sfp9540
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 17A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1535pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFH9250L
- sfh9250l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 19.5A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 9.8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFH9240
- sfh9240
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 11A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFH9154
- sfh9154
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 150V 18A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFH154
- sfh154
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 34A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3370pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SFF9250L
- sff9250l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3PF Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.3A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SCH1434-TL-H
- sch1434.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SCH1439-TL-H
- sch1439.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SCH1436-TL-H
- sch1436.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SCH1435-TL-H
- sch1435.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SCH1433-TL-H
- sch1433.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SCH1430-TL-H
- sch1430.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК