Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
RJK0329DPB-01#J0
- rjk0329dpb.01.j0
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0353DSP-00#J0
- rjk0353dsp.00.j0
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0328DPB-01#J0
- rjk0328dpb.01.j0
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0305DPB-00#J0
- rjk0305dpb.00.j0
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 10V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0304DPB-00#J0
- rjk0304dpb.00.j0
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0303DPB-00#J0
- rjk0303dpb.00.j0
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0301DPB-00#J0
- rjk0301dpb.00.j0
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0302DPB-00#J0
- rjk0302dpb.00.j0
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 50A 5-LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP70N06
- rfp70n06
- Fairchild Semiconductor, FS
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 156nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP50N06
- rfp50n06
- Fairchild Semiconductor, FS
- MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP50N05L
- rfp50n05l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP45N06
- rfp45n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP40N10
- rfp40n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP3055LE
- rfp3055le
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107 mOhm @ 8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP3055
- rfp3055
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP30N06LE
- rfp30n06le
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP2N10L
- rfp2n10l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP22N10
- rfp22n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP15P05
- rfp15p05
- Fairchild Semiconductor, Intersil
- MOSFET P-CH 50V 15A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP15N05L
- rfp15n05l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 15A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК