Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
RFP14N05L
- rfp14n05l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 14A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFP12N10L
- rfp12n10l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 12A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFG70N06
- rfg70n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 156nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFG40N10
- rfg40n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 40A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFG60P05E
- rfg60p05e
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 50V 60A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD8P05
- rfd8p05
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD4N06LSM9A
- rfd4n06lsm9a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 4A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD3055SM
- rfd3055sm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD3055SM9A
- rfd3055sm9a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD3055LESM
- rfd3055lesm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107 mOhm @ 8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD3055LESM9A
- rfd3055lesm9a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107 mOhm @ 8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD3055
- rfd3055
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD3055LE
- rfd3055le
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107 mOhm @ 8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD16N06LESM9A
- rfd16n06lesm9a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 16A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD16N05SM
- rfd16n05sm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD16N05SM9A
- rfd16n05sm9a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD16N05
- rfd16n05
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD16N05LSM
- rfd16n05lsm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD16N05LSM9A
- rfd16n05lsm9a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RFD15P05SM
- rfd15p05sm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 50V 15A TO-252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК