Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
RSS140N03TB
- rss140n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS130N03TB
- rss130n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS125N03TB
- rss125n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1670pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS120N03TB
- rss120n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1360pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS110N03TB
- rss110n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS100N03TB
- rss100n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS090P03TB
- rss090p03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS075P03TB
- rss075p03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS065N03TB
- rss065n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS040P03TB
- rss040p03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V · FET Polarity: P-Chan
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS050P03TB
- rss050p03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSR025P03TL
- rsr025p03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSR025N03TL
- rsr025n03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSR020P03TL
- rsr020p03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 370pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSR015P03TL
- rsr015p03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSQ035P03TR
- rsq035p03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSQ045N03TR
- rsq045n03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSQ030P03TR
- rsq030p03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 10V · FET Polarity: P-Chann
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSQ025P03TR
- rsq025p03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSM002P03T2L
- rsm002p03t2l
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК