Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
RTR020P02TL
- rtr020p02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTR025N03TL
- rtr025n03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ045N03TR
- rtq045n03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ040P02TR
- rtq040p02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ035P02TR
- rtq035p02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ035N03TR
- rtq035n03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 285pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ030P02TR
- rtq030p02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ020N03TR
- rtq020n03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTQ025P02TR
- rtq025p02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTM002P02T2L
- rtm002p02t2l
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTL035N03TR
- rtl035n03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTL030P02TR
- rtl030p02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTL020P02TR
- rtl020p02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTF025N03TL
- rtf025n03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTF020P02TL
- rtf020p02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTF015P02TL
- rtf015p02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTF015N03TL
- rtf015n03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 80pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTF010P02TL
- rtf010p02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTE002P02TL
- rte002p02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 200MA SOT416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSU002P03T106
- rsu002p03t106
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 250MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК