Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTTFS4930NTWG
- nttfs4930ntwg
- ON Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4929NTAG
- nttfs4929ntag
- ON Semiconductor
- Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N-Channel, ?8FL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4928NTAG
- nttfs4928ntag
- ON Semiconductor
- Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N-Channel, ?8FL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4824NTAG
- nttfs4824ntag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2363pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTD4401FR2G
- nttd4401fr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN 20V 3.3A MICRO8 Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4823NTAG
- nttfs4823ntag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1013pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4821NTAG
- nttfs4821ntag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1755pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTD4401FR2
- nttd4401fr2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4173PT1G
- nts4173pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4101PT1G
- nts4101pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 840pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4409NT1G
- nts4409nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN .75A 25V SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 700mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4101PT1
- nts4101pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 840pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4001NT1G
- nts4001nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 270mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 33pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4001NT1
- nts4001nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 270mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 33pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS2101PT1
- nts2101pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 8V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS2101PT1G
- nts2101pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 8V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4503NT3G
- ntr4503nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 24V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTRV4101PT1G
- ntrv4101pt1g
- OnSemiconductor
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4503NT3
- ntr4503nt3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 24V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4503NT1G
- ntr4503nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 24V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК