Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTR4503NT1
- ntr4503nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 24V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4502PT3G
- ntr4502pt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4502PT1G
- ntr4502pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4502PT3
- ntr4502pt3
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4502PT1
- ntr4502pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4501NT3
- ntr4501nt3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4501NT3G
- ntr4501nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4501NT1
- ntr4501nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 3.2A 20V SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4501NT1G
- ntr4501nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4171PT1G
- ntr4171pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4170NT1G
- ntr4170nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 432pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4101PT1G
- ntr4101pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 675pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR2101PT1
- ntr2101pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1173pF @ 4V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR2101PT1G
- ntr2101pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1173pF @ 4V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR1P02T3
- ntr1p02t3
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165pF @ 5V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4003NT1G
- ntr4003nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR1P02T1G
- ntr1p02t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165pF @ 5V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR1P02T3G
- ntr1p02t3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165pF @ 5V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR1P02T1
- ntr1p02t1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 165pF @ 5V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR1P02LT3G
- ntr1p02lt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК