Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

NTP65N02R

  • ntp65n02r
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1330pF @ 20V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP6413ANG

  • ntp6413ang
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP6412ANG

  • ntp6412ang
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP6410ANG

  • ntp6410ang
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP60N06L

  • ntp60n06l
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3075pF @ 25V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP60N06LG

  • ntp60n06lg
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3075pF @ 25V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP60N06

  • ntp60n06
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP5864NG

  • ntp5864ng
  • ON Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP60N06G

  • ntp60n06g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP5863NG

  • ntp5863ng
  • ON Semiconductor
  • TO-220/-55~150 97A,60V,N-Channel MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP5404NRG

  • ntp5404nrg
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 136A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 136A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 32V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP52N10G

  • ntp52n10g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 25V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP45N06LG

  • ntp45n06lg
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP52N10

  • ntp52n10
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 25V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP45N06L

  • ntp45n06l
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP45N06G

  • ntp45n06g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP45N06

  • ntp45n06
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP4302G

  • ntp4302g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 24V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP4302

  • ntp4302
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 24V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTP35N15G

  • ntp35n15g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CHAN 37A 150V TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 25V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь