Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTD12N10T4G
- ntd12n10t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD14N03R-001
- ntd14n03r.001
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 2.5A TO-251A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 115pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD12N10G
- ntd12n10g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD12N10-1G
- ntd12n10.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD110N02RT4
- ntd110n02rt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD110N02RT4G
- ntd110n02rt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD110N02RG
- ntd110n02rg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD110N02R-001G
- ntd110n02r.001g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD110N02R-001
- ntd110n02r.001
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 12.5A TO-251A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD110N02R
- ntd110n02r
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB90N02T4G
- ntb90n02t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2120pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB90N02T4
- ntb90n02t4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2120pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB90N02G
- ntb90n02g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2120pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB85N03T4
- ntb85n03t4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB85N03G
- ntb85n03g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB85N03T4G
- ntb85n03t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB85N03
- ntb85n03
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB75N06T4G
- ntb75n06t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4510pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB90N02
- ntb90n02
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2120pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB75N06LT4G
- ntb75n06lt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4370pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК