Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTB65N02RT4G
- ntb65n02rt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 24V 7.6A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1330pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB65N02RT4
- ntb65n02rt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1330pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB60N06T4G
- ntb60n06t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB60N06LT4G
- ntb60n06lt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3075pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB60N06G
- ntb60n06g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB60N06LG
- ntb60n06lg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3075pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB60N06LT4
- ntb60n06lt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3075pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5411NT4G
- ntb5411nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5605P
- ntb5605p
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5605PT4
- ntb5605pt4
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB60N06L
- ntb60n06l
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3075pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5605PG
- ntb5605pg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5412NT4G
- ntb5412nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 0V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5605PT4G
- ntb5605pt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB45N06LG
- ntb45n06lg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB45N06LT4
- ntb45n06lt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5405NT4G
- ntb5405nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 32V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB52N10T4G
- ntb52n10t4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB5404NT4G
- ntb5404nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 136A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 32V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTB52N10G
- ntb52n10g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК