Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

NTB125N02RT4G

  • ntb125n02rt4g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTB125N02RT4

  • ntb125n02rt4
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTB125N02RG

  • ntb125n02rg
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTB125N02R

  • ntb125n02r
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA4153NT1G

  • nta4153nt1g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 915mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110pF @ 16V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA7002NT1

  • nta7002nt1
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 154MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 154mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 154mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA7002NT1G

  • nta7002nt1g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 154MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 154mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 154mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA4151PT1G

  • nta4151pt1g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 760mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 156pF @ 5V · FET P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA4153NT1

  • nta4153nt1
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 915mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110pF @ 16V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA4151PT1

  • nta4151pt1
  • ON Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 760mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 156pF @ 5V · FET P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA4001NT1

  • nta4001nt1
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 238mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NTA4001NT1G

  • nta4001nt1g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 238mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP88N04KUG-E1-AZ

  • np88n04kug.e1.az
  • NEC ELECTRONICS INC
  • N-KANAL POWER MOSFET   40V, 88A, 3,1mOhm

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP83P06PDG-E1-AY

  • np83p06pdg.e1.ay
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP82N03PUG-E1-AZ

  • np82n03pug.e1.az
  • NEC ELECTRONICS INC
  • N-KANAL POWER MOSFET         30V, 82A,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP82N04PUG-E1-AZ

  • np82n04pug.e1.az
  • NEC ELECTRONICS INC
  • N-KANAL POWER MOSFET        40V, 82A,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP80N055MHE-S18-AY

  • np80n055mhe.s18.ay
  • RENESAS
  • TO220-3/80A,55V,0.011ohm,N-CHANNEL,Si,POWER,MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP80N04NHE-S18-AY

  • np80n04nhe.s18.ay
  • NEC ELECTRONICS INC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP70N10KUF-E1-AY

  • np70n10kuf.e1.ay
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NP55N055SUG-E1-AY

  • np55n055sug.e1.ay
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь