Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NP50P06KDG-E1-AY
- np50p06kdg.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP50P04SDG-E1-AY
- np50p04sdg.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP36P06SLG-E1-AY
- np36p06slg.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP36P04SDG-E1-AY
- np36p04sdg.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP36N055SLE-E1-AY
- np36n055sle.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP35N04YUG-E1-AY
- np35n04yug.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP32N055SLE-E1-AY
- np32n055sle.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP22N055SLE-E1-AY
- np22n055sle.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP20P06SLG-E1-AY
- np20p06slg.e1.ay
- RENESAS
- TO252/SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP110N055PUG-E1-AY
- np110n055pug.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP100P06PDG-E1-AY
- np100p06pdg.e1.ay
- NEC ELECTRONICS INC
- MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP100P04PDG-E1-AY
- np100p04pdg.e1.ay
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NILMS4501NR2G
- nilms4501nr2g
- ON Semiconductor
- IC MOSF N-CH 9.5A 24V ESD 4-LLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 6V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NILMS4501NR2
- nilms4501nr2
- ON Semiconductor
- IC MOSF N-CH 9.5A 24V ESD 4-LLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 6V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NIF9N05CLT3G
- nif9n05clt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 52V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 35V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NIF9N05CLT3
- nif9n05clt3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 52V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 35V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NIF9N05CLT1G
- nif9n05clt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 2.6A 52V SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 52V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 35V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NIF9N05CLT1
- nif9n05clt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 52V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 35V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDT456P
- ndt456p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDT454P
- ndt454p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК