Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NDS8425
- nds8425
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8410
- nds8410
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8426A
- nds8426a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8434
- nds8434
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS7002A
- nds7002a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS352P
- nds352p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 850MA SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 125pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS352AP
- nds352ap
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS356P
- nds356p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.1A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS355AN
- nds355an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @ 15V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS356AP
- nds356ap
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS351N
- nds351n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.1A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS351AN
- nds351an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS331N
- nds331n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 162pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS335N
- nds335n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS336P
- nds336p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS332P
- nds332p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS0610
- nds0610
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 79pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS0605
- nds0605
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 79pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDP7061
- ndp7061
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 64A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1930pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDP7060
- ndp7060
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК