Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NDB7060L
- ndb7060l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 37.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB7051
- ndb7051
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1930pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB6020P
- ndb6020p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1590pF @ 10V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB6030PL
- ndb6030pl
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 15V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB603AL
- ndb603al
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 15V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB6060L
- ndb6060l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB6060
- ndb6060
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB5060L
- ndb5060l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 840pF @ 30V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB4050L
- ndb4050l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB4060L
- ndb4060l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB4060
- ndb4060
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDB4050
- ndb4050
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUS3192PZTBG
- ntlus3192pztbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUS4195PZTAG
- ntlus4195pztag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR4003NT3G
- ntr4003nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4837NT3G
- ntmfs4837nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2048pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4839NT3G
- ntmfs4839nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1588pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4841NT3G
- ntmfs4841nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1436pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4835NT3G
- ntmfs4835nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4836NT3G
- ntmfs4836nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2677pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК