Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTMFS4834NT3G
- ntmfs4834nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4744NT3G
- ntmfs4744nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS4114NT1G
- ntljs4114nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH SGL 30V 7.8A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJF4156NTAG
- ntljf4156ntag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 427pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJF3118NTBG
- ntljf3118ntbg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 271pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJF3117PT1G
- ntljf3117pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET/SCHOTTKY 20V 4.1A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 531pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3134NT5G
- ntk3134nt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 16V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3139PT5G
- ntk3139pt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 780mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 16V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3142PT5G
- ntk3142pt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 215MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 260mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 215mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15.3pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLGF3501NT2G
- ntlgf3501nt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS4111PT2G
- ntgs4111pt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3441PT1G
- ntgs3441pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 345pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3443T2G
- ntgs3443t2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 565pF @ 5V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD5407NT4G
- ntd5407nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 38A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 32V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4809NA-1G
- ntd4809na.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 12V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4813N-35G
- ntd4813n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4809NA-35G
- ntd4809na.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 12V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4809N-1G
- ntd4809n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 12V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4809N-35G
- ntd4809n.35g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 12V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTD4813N-1G
- ntd4813n.1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК