Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
MPF960
- mpf960
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 2A TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMSF7P03HDR2
- mmsf7p03hdr2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75.8nC @ 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMSF7P03HDR2G
- mmsf7p03hdr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75.8nC @ 6V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMSF3P02HDR2G
- mmsf3p02hdr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 16V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMSF3P02HDR2SG
- mmsf3p02hdr2sg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 16V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMSF3P02HDR2
- mmsf3p02hdr2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 16V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFT960T1G
- mmft960t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 65pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFT960T1
- mmft960t1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 65pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFT5P03HDT1
- mmft5p03hdt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFT2N02ELT1
- mmft2n02elt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 800mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFT2406T1
- mmft2406t1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 700mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 125pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFT107T1
- mmft107t1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDFS6N303R2
- mmdfs6n303r2
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 24V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF3N02HDR2G
- mmdf3n02hdr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH 20V 3.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 16V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF3N02HDR2
- mmdf3n02hdr2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 16V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF2202PT1G
- mmbf2202pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 300MA SOT323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 5V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF2201NT1G
- mmbf2201nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF2202PT1
- mmbf2202pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 5V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF170LT3G
- mmbf170lt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF2201NT1
- mmbf2201nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК