Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
MMBF170LT3
- mmbf170lt3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF170LT1G
- mmbf170lt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF170LT1
- mmbf170lt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF170-7-F
- mmbf170.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF170
- mmbf170
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF170-7
- mmbf170.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF0201NLT1
- mmbf0201nlt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBF0201NLT1G
- mmbf0201nlt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MKE11R600DCGFC
- mke11r600dcgfc
- Ixys
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности CoolMOS Power Mosfet 600V 15A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIC94030BM4 TR
- mic94030bm4.tr
- Micrel Inc
- MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 Серия: TinyFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @ 12V · FET Polarity: P-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1P02LT1
- mgsf1p02lt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 5V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF2N02ELT1G
- mgsf2n02elt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1N03LT3G
- mgsf1n03lt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1N03LT1G
- mgsf1n03lt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1N03LT1
- mgsf1n03lt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1N03LT3
- mgsf1n03lt3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1N02LT1G
- mgsf1n02lt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 125pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGSF1N02LT1
- mgsf1n02lt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 125pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH3383-TL-H
- mch3383.tl.h
- ON Semiconductor
- P-Channel Silicon MOSFET Low Voltage Drive Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH3374-TL-E
- mch3374.tl.e
- ON Semiconductor
- P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК