Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRL3102STRLPBF
- irl3102strlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 37A, 7V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRL2505STRRPBF
- irl2505strrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRL2505STRLPBF
- irl2505strlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRL1104STRLPBF
- irl1104strlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3445pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP10A13FQTA
- zxmp10a13fqta
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFZ46NSTRRPBF
- irfz46nstrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1696pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFZ44ESTRRPBF
- irfz44estrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1360pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU220BTU_FP001
- irfu220btu.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU214BTU_FP001
- irfu214btu.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4710PBF
- irfsl4710pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6160pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4710PBF
- irfs4710pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6160pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9310TRRPBF
- irfr9310trrpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9214TRPBF
- irfr9214trpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9214TRLPBF
- irfr9214trlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9110TRLPBF
- irfr9110trlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9024NTRRPBF
- irfr9024ntrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR6215TRLPBF
- irfr6215trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9010TRLPBF
- irfr9010trlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала P-Chan 60V 5.1 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9020TRLPBF
- irfr9020trlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR540ZTRLPBF
- irfr540ztrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК