Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLR8503TRLPBF
- irlr8503trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 44A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1650pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7821TRRPBF
- irlr7821trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 65A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZTRPBF
- irlr3714ztrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR8103VTRLPBF
- irlr8103vtrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 91A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2672pF @ 16V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7843TRLPBF
- irlr7843trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 161A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4380pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZTRLPBF
- irlr3714ztrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3715TRRPBF
- irlr3715trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZTRRPBF
- irlr3714ztrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714TRRPBF
- irlr3714trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3303TRRPBF
- irlr3303trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3105TRPBF
- irlr3105trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 25A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR2905ZTRLPBF
- irlr2905ztrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR2705TRRPBF
- irlr2705trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR014TRLPBF
- irlr014trlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR120TRRPBF
- irlr120trrpbf
- Fairchild
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR024TRLPBF
- irlr024trlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR014NTRPBF
- irlr014ntrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 265pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLL2703TRPBF
- irll2703trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRL620STRLPBF
- irl620strlpbf
- Fairchild
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRL8113STRRPBF
- irl8113strrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 105A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК