Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRF9Z34STRRPBF
- irf9z34strrpbf
- Fairchild
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9Z24STRRPBF
- irf9z24strrpbf
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9640LPBF
- irf9640lpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9630STRLPBF
- irf9630strlpbf
- Fairchild
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9540STRLPBF
- irf9540strlpbf
- Fairchild
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9530NSTRRPBF
- irf9530nstrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9520STRLPBF
- irf9520strlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9510STRLPBF
- irf9510strlpbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF840STRRPBF
- irf840strrpbf
- Fairchild
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8010STRRPBF
- irf8010strrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3830pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7809PBF
- irf7809pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Wid
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7807ATRPBF
- irf7807atrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Stan
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7706TRPBF
- irf7706trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2211pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7700TRPBF
- irf7700trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7534D1PBF
- irf7534d1pbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1066pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7524D1PBF
- irf7524d1pbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8 Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7521D1PBF
- irf7521d1pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7488TRPBF
- irf7488trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7490TRPBF
- irf7490trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1720pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7484TRPBF
- irf7484trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 7V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3520pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК