Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IRF3709ZSTRRPBF

IRF3709ZSTRRPBF

  • irf3709zstrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3709ZSTRLPBF

IRF3709ZSTRLPBF

  • irf3709zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3708STRRPBF

IRF3708STRRPBF

  • irf3708strrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3707STRRPBF

IRF3707STRRPBF

  • irf3707strrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3708STRLPBF

IRF3708STRLPBF

  • irf3708strlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3707STRLPBF

IRF3707STRLPBF

  • irf3707strlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3706STRRPBF

IRF3706STRRPBF

  • irf3706strrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 77A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3706STRLPBF

IRF3706STRLPBF

  • irf3706strlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 77A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3205ZSTRLPBF

IRF3205ZSTRLPBF

  • irf3205zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3450pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF1902TRPBF

IRF1902TRPBF

  • irf1902trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF1407STRLPBF

IRF1407STRLPBF

  • irf1407strlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF1404ZSTRRPBF

IRF1404ZSTRRPBF

  • irf1404zstrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4340pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF1404ZSTRLPBF

IRF1404ZSTRLPBF

  • irf1404zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4340pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44ZSPBF

IRLZ44ZSPBF

  • irlz44zspbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44ZS

IRLZ44ZS

  • irlz44zs
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44ZPBF

IRLZ44ZPBF

  • irlz44zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44ZLPBF

IRLZ44ZLPBF

  • irlz44zlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44ZL

IRLZ44ZL

  • irlz44zl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44Z

IRLZ44Z

  • irlz44z
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRLZ44STRRPBF

IRLZ44STRRPBF

  • irlz44strrpbf
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V · FET Polarity: N-C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь