Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLZ24L
- irlz24l
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 17A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ24
- irlz24
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14STRR
- irlz14strr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14S
- irlz14s
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14SPBF
- irlz14spbf
- VISHAY
- N-KANAL POWER MOSFET LOGIC LEVEL SMD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14STRL
- irlz14strl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14PBF
- irlz14pbf
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14L
- irlz14l
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 10A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ14
- irlz14
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLW630ATM
- irlw630atm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 755pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLW610ATM
- irlw610atm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLW510ATM
- irlw510atm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 2.8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8743PBF
- irlu8743pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4880pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU9343
- irlu9343
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8729PBF
- irlu8729pbf
- Internation.Rectifer, IR
- IPAK/MOSFET,30V,58A,8.9mOhm,10 nC QG,LOGIC LEVEL,I-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8726PBF
- irlu8726pbf
- Internation.Rectifer, IR
- IPAK/MOSFET,30V,85A,5.8mOHM,15 nC QG,LOGIC LEVEL,I-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8259PBF
- irlu8259pbf
- GLENAIR
- IPAK/MOSFET, 25V, 57A, 8.7mOhm, 6.8nC Qg, Logic Level,I-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8721PBF
- irlu8721pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8256PBF
- irlu8256pbf
- Internation.Rectifer, IR
- IPAK/MOSFET, 25V, 81A, 5.7mOhm, 10NcQg, Logic Level, I-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU8113PBF
- irlu8113pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 94A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2920pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК