Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLU3705ZPBF
- irlu3705zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3705Z
- irlu3705z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3410PBF
- irlu3410pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3636PBF
- irlu3636pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mohm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3779pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3303PBF
- irlu3303pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3303
- irlu3303
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3114ZPBF
- irlu3114zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3810pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3110ZPBF
- irlu3110zpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 38A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3980pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2905ZPBF
- irlu2905zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3103PBF
- irlu3103pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU3103
- irlu3103
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2905Z
- irlu2905z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2905
- irlu2905
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2705PBF
- irlu2705pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2705
- irlu2705
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2703PBF
- irlu2703pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU2703
- irlu2703
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU120PBF
- irlu120pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU110PBF
- irlu110pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLU120NPBF
- irlu120npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК