Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRLR014NPBF

  • irlr014npbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 265pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR014

  • irlr014
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLP3034PBF

  • irlp3034pbf
  • Internation.Rectifer
  • TO247 /MOSFET, 40V, 327A, 1.7 MOHM, 108 NC QG

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS6802TRPBF

  • irlms6802trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1079pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS6802TR

  • irlms6802tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1079pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS6702TRPBF

  • irlms6702trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 210pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS6702TR

  • irlms6702tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 210pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS5703TRPBF

  • irlms5703trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS2002TR

  • irlms2002tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML2402TR

  • irlml2402tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 930mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS1902TRPBF

  • irlms1902trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS1503TR

  • irlms1503tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 210pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS1902TR

  • irlms1902tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLMS1503TRPBF

  • irlms1503trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 210pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML9303TRPBF

  • irlml9303trpbf
  • Internation.Rectifer, IR
  • SOT23-3/HEXFET  Power MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML9301TRPBF

  • irlml9301trpbf
  • Internation.Rectifer, IR
  • SOT23-3/

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6402TRPBF

  • irlml6402trpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6402TR

  • irlml6402tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6402GTRPBF

  • irlml6402gtrpbf
  • Internation.Rectifer
  • SOT23-3/-20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FREE HEXFET POWER MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6401TRPBF

  • irlml6401trpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь