Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRLML6401TR

  • irlml6401tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6401GTRPBF

  • irlml6401gtrpbf
  • Internation.Rectifer
  • MICRO3/MOSFET, P-CH, -12V, -4.3A, 50 MOHM, 10 NC QG, LOGIC L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6346TRPBF

  • irlml6346trpbf
  • Internation.Rectifer, IR
  • SOT23-3/MOSFET, 20V, 3.4A, 63 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6344TRPBF

  • irlml6344trpbf
  • Internation.Rectifer, IR
  • MICRO3/MOSFET, 20V, 5.0A, 29 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, SOT-2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6302TRPBF

  • irlml6302trpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 780mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6302TR

  • irlml6302tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 780mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6302GTRPBF

  • irlml6302gtrpbf
  • Internation.Rectifer
  • MICRO 3/MOSFET, P-CH, -20V, -0.62A, 600 MOHM, 2.4 NC QG, LOG

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6246TRPBF

  • irlml6246trpbf
  • Internation.Rectifer
  • MICRO3/MOSFET, 20V, 4.1A, 46 MOHM, 3.5 NC QG, 2.5V DRIVE CAP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML6244TRPBF

  • irlml6244trpbf
  • Internation.Rectifer, IR
  • SOT23-3/MOSFET, 20V, 6.3A, 21 MOHM, 6.9 NC QG, 2.5V DRIVE CA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLIZ34N

  • irliz34n
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML5203TRPBF

  • irlml5203trpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML5203GTRPBF

  • irlml5203gtrpbf
  • Internation.Rectifer
  • -30V SINGLE N-CHANNEL LEAD FREE HEXFET POWER MOSFET IN A HAL

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLIZ14G

  • irliz14g
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML5103TRPBF

  • irlml5103trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 760mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML5103TR

  • irlml5103tr
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 760mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML5103GTRPBF

  • irlml5103gtrpbf
  • Internation.Rectifer
  • SOT23-3/MOSFET, P-CH, -30V, -0.61A, 600 MOHM, 3.4 NC QG, LOG

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML2803TRPBF

  • irlml2803trpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 910mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 85pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML2803TR

  • irlml2803tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 910mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 85pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML2803GTRPBF

  • irlml2803gtrpbf
  • Internation.Rectifer
  • SOT23/MOSFET, 30V, 1.2A, 250 MOHM, 3.3 NC QG, LOGIC LEVEL,HA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLML2502TRPBF

  • irlml2502trpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь