Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLML6401TR
- irlml6401tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6401GTRPBF
- irlml6401gtrpbf
- Internation.Rectifer
- MICRO3/MOSFET, P-CH, -12V, -4.3A, 50 MOHM, 10 NC QG, LOGIC L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6346TRPBF
- irlml6346trpbf
- Internation.Rectifer, IR
- SOT23-3/MOSFET, 20V, 3.4A, 63 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6344TRPBF
- irlml6344trpbf
- Internation.Rectifer, IR
- MICRO3/MOSFET, 20V, 5.0A, 29 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, SOT-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6302TRPBF
- irlml6302trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 780mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6302TR
- irlml6302tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 780mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6302GTRPBF
- irlml6302gtrpbf
- Internation.Rectifer
- MICRO 3/MOSFET, P-CH, -20V, -0.62A, 600 MOHM, 2.4 NC QG, LOG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6246TRPBF
- irlml6246trpbf
- Internation.Rectifer
- MICRO3/MOSFET, 20V, 4.1A, 46 MOHM, 3.5 NC QG, 2.5V DRIVE CAP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML6244TRPBF
- irlml6244trpbf
- Internation.Rectifer, IR
- SOT23-3/MOSFET, 20V, 6.3A, 21 MOHM, 6.9 NC QG, 2.5V DRIVE CA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLIZ34N
- irliz34n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML5203TRPBF
- irlml5203trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML5203GTRPBF
- irlml5203gtrpbf
- Internation.Rectifer
- -30V SINGLE N-CHANNEL LEAD FREE HEXFET POWER MOSFET IN A HAL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLIZ14G
- irliz14g
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML5103TRPBF
- irlml5103trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 760mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML5103TR
- irlml5103tr
- International Rectifier, IR
- MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 760mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML5103GTRPBF
- irlml5103gtrpbf
- Internation.Rectifer
- SOT23-3/MOSFET, P-CH, -30V, -0.61A, 600 MOHM, 3.4 NC QG, LOG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML2803TRPBF
- irlml2803trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 910mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 85pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML2803TR
- irlml2803tr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 910mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 85pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML2803GTRPBF
- irlml2803gtrpbf
- Internation.Rectifer
- SOT23/MOSFET, 30V, 1.2A, 250 MOHM, 3.3 NC QG, LOGIC LEVEL,HA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRLML2502TRPBF
- irlml2502trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК