Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLI2910
- irli2910
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLI2203NPBF
- irli2203npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLHS6342TR2PBF
- irlhs6342tr2pbf
- Internation.Rectifer
- PQFN/MOSFET, 30V, 8.5A, 15.5 MOHM, 11NC QG, 2.5V DRIVE CAPAB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLI2203N
- irli2203n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLHS2242TR2PBF
- irlhs2242tr2pbf
- Internation.Rectifer
- PQFN 2X2/MOSFET, -20V, 8.5A, 31 MOHM, 12 NC QG, 2.5V DRIVE C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLHS6242TR2PBF
- irlhs6242tr2pbf
- Internation.Rectifer
- PQFN2X2/MOSFET, 20V, 8.5A, 11.7 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLHM630TR2PBF
- irlhm630tr2pbf
- GLENAIR
- PQFN/MOSFET, 20V, 40A, 3.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, PQFN3.3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLHM620TR2PBF
- irlhm620tr2pbf
- Internation.Rectifer
- PQFN/MOSFET, 20V, 40A, 2.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, PQFN3.3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH7134TR2PBF
- irlh7134tr2pbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH7134TRPBF
- irlh7134trpbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH6224TRPBF
- irlh6224trpbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH6224TR2PBF
- irlh6224tr2pbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH5036TRPBF
- irlh5036trpbf
- Internation.Rectifer
- MOSFET, 60V, 100A, 4.4 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5x6, Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH5036TR2PBF
- irlh5036tr2pbf
- GLENAIR
- 0L MOS 60V 100A 4.4MOHM PQFN - (PB Free/Rohs)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH5034TRPBF
- irlh5034trpbf
- Internation.Rectifer
- MOSFET, 40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5x6, Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH5034TR2PBF
- irlh5034tr2pbf
- GLENAIR
- MOSFET, 40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5x6, Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH5030TRPBF
- irlh5030trpbf
- Internation.Rectifer
- MOSFET, 100V, 100A, 9.0 MOHM MAX, 44 NC QG, PQFN, LOGIC LEVE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLH5030TR2PBF
- irlh5030tr2pbf
- GLENAIR
- 0L MOS 100V 100A 9.0MOHM PQFN - (PB Free/Rohs)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD120PBF
- irld120pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD120
- irld120
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК