Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLD110PBF
- irld110pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 600mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD110
- irld110
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 600mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD024PBF
- irld024pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD024
- irld024
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD014PBF
- irld014pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLD014
- irld014
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLBA3803
- irlba3803
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 71A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 179A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLBA3803P
- irlba3803p
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 71A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 179A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLBA1304PPBF
- irlba1304ppbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 185A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7660p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLBA1304P
- irlba1304p
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 185A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7660p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB8748PBF
- irlb8748pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 30V 78A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2139pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLBA1304
- irlba1304
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 185A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7660p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB8721PBF
- irlb8721pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1077pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB8743PBF
- irlb8743pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 78A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5110pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB4030PBF
- irlb4030pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB3813PBF
- irlb3813pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8420p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB3036PBF
- irlb3036pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1121
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB3034PBF
- irlb3034pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 162nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1031
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLB3036GPBF
- irlb3036gpbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 60V, 370A, 2.4 MOHM, 91 NC QG, LOGIC LEVEL,HAL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК