Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFP064VPBF
- irfp064vpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 78A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6760pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP064PBF
- irfp064pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 78A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7400pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP064NPBF
- irfp064npbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 59A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP054N
- irfp054n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 81A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP064
- irfp064
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 78A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7400pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP054NPBF
- irfp054npbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 81A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP054PBF
- irfp054pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP054
- irfp054
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP048PBF
- irfp048pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP048RPBF
- irfp048rpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP048NPBF
- irfp048npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP048N
- irfp048n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP044NPBF
- irfp044npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP044PBF
- irfp044pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP044N
- irfp044n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFML8244TRPBF
- irfml8244trpbf
- Internation.Rectifer, IR
- SOT23-3/M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFM220BTF_FP001
- irfm220btf.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFM120ATF
- irfm120atf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFM210BTF_FP001
- irfm210btf.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 390mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 770mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 225pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFL9110TRPBF
- irfl9110trpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 660mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК