Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFP21N60LPBF
- irfp21n60lpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP22N60C3PBF
- irfp22n60c3pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC Серия: HEXFET® · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247-3 (Straight Leads),
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP22N60K
- irfp22n60k
- VISHAY
- N-Kanal Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP22N50APBF
- irfp22n50apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3450pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP17N50L
- irfp17n50l
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2760pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP21N60L
- irfp21n60l
- GLENAIR
- TO-220 NEW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP22N50A
- irfp22n50a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3450pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP15N60LPBF
- irfp15n60lpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2720pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP17N50LPBF
- irfp17n50lpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2760pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP150PBF
- irfp150pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP150NPBF
- irfp150npbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP150N
- irfp150n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP1405PBF
- irfp1405pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 95A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP150
- irfp150
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP150A
- irfp150a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 21.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 97nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2270pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP150MPBF
- irfp150mpbf
- Internation.Rectifer
- TO247/MOSFET, 100V, 39A, 36 MOHM, 73.3 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP140N
- irfp140n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP140NPBF
- irfp140npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP140PBF
- irfp140pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP1405
- irfp1405
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 95A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК