Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IRF3205STRRPBF

IRF3205STRRPBF

  • irf3205strrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3205SPBF

IRF3205SPBF

  • irf3205spbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3205STRR

IRF3205STRR

  • irf3205strr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3205LPBF

IRF3205LPBF

  • irf3205lpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3205PBF

IRF3205PBF

  • irf3205pbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3247pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3205L

IRF3205L

  • irf3205l
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3007SPBF

IRF3007SPBF

  • irf3007spbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 48A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3270pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3007PBF

IRF3007PBF

  • irf3007pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 48A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3270pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3000PBF

IRF3000PBF

  • irf3000pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 730pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF3000

IRF3000

  • irf3000
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 730pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2907ZSTRLPBF

IRF2907ZSTRLPBF

  • irf2907zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2907ZSPBF

IRF2907ZSPBF

  • irf2907zspbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2907ZS-7PPBF

IRF2907ZS-7PPBF

  • irf2907zs.7ppbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7580pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2903ZSPBF

IRF2903ZSPBF

  • irf2903zspbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6320pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2903ZPBF

IRF2903ZPBF

  • irf2903zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6320pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2907ZLPBF

IRF2907ZLPBF

  • irf2907zlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 170A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2907ZPBF

IRF2907ZPBF

  • irf2907zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2807ZSTRRPBF

IRF2807ZSTRRPBF

  • irf2807zstrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3270pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2807ZSTRLPBF

IRF2807ZSTRLPBF

  • irf2807zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3270pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF2807ZSTRR

IRF2807ZSTRR

  • irf2807zstrr
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3270pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь