Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRF2804STRR7PP
- irf2804strr7pp
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6930pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2805LPBF
- irf2805lpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 135A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 104A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 135A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5110pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804STRL7PP
- irf2804strl7pp
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6930pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804STRL
- irf2804strl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6450pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804S-7P
- irf2804s.7p
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6930pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804SPBF
- irf2804spbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6450pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804LPBF
- irf2804lpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-220-3 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6450pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804S-7PPBF
- irf2804s.7ppbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6930pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804PBF
- irf2804pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2804
- irf2804
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1503PBF
- irf1503pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 140A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5730pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2204SPBF
- irf2204spbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5890pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1407STRRPBF
- irf1407strrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2204LPBF
- irf2204lpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 170A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5890pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF2204PBF
- irf2204pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 130A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5890p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1405ZTRL
- irf1405ztrl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4780pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1405ZSTRRPBF
- irf1405zstrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4780pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1405ZSTRLPBF
- irf1405zstrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4780pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1405ZSTRL7PP
- irf1405zstrl7pp
- Internation.Rectifer
- D2PAK-7P/MOSFET, 55V, 150A, 4.9 MOHM, 150 NC QG, D2-PAK-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1902PBF
- irf1902pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК