Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRF1010EZS
- irf1010ezs
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010EZL
- irf1010ezl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010ESTRR
- irf1010estrr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3210pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010EZ
- irf1010ez
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010EZLPBF
- irf1010ezlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010EZPBF
- irf1010ezpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010ESTRLPBF
- irf1010estrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3210pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010EPBF
- irf1010epbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3210pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1010EL
- irf1010el
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3210pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRCZ44PBF
- ircz44pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRCZ34PBF
- ircz34pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRCZ24PBF
- ircz24pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 55V 17A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC840PBF
- irc840pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 8A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC830PBF
- irc830pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 610pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC740PBF
- irc740pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC730PBF
- irc730pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC644PBF
- irc644pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC640PBF
- irc640pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC634PBF
- irc634pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRC630PBF
- irc630pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК