Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPW60R165CP
- ipw60r165cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 21A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R199CP
- ipw60r199cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R160C6
- ipw60r160c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R125C6
- ipw60r125c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R099CP
- ipw60r099cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 31A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R099C6
- ipw60r099c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R075CP
- ipw60r075cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 39A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R070C6
- ipw60r070c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R045CP
- ipw60r045cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R041C6
- ipw60r041c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW50R350CP
- ipw50r350cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW50R299CP
- ipw50r299cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW50R399CP
- ipw50r399cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 9A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 890pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW50R250CP
- ipw50r250cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 13A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1420pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW50R199CP
- ipw50r199cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 17A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW50R140CP
- ipw50r140cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPU20N03L G
- ipu20n03l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPU13N03LA G
- ipu13n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1043pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPUH6N03LB G
- ipuh6n03lb.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPUH6N03LA G
- ipuh6n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2390pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК