Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPI50R140CP
- ipi50r140cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2540pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI50N10S3L-16
- ipi50n10s3l.16
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4180pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI50CN10N G
- ipi50cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI47N10SL-26
- ipi47n10sl.26
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI47N10S-33
- ipi47n10s.33
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI45N06S4L-08
- ipi45n06s4l.08
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI45N06S4-09
- ipi45n06s4.09
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI45N06S3-16
- ipi45n06s3.16
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI45N06S3L-13
- ipi45n06s3l.13
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI22N03S4L-15
- ipi22n03s4l.15
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 980pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI25N06S3-25
- ipi25n06s3.25
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 25A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1862pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI320N20N3 G
- ipi320n20n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI25N06S3L-22
- ipi25n06s3l.22
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI26CNE8N G
- ipi26cne8n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI35CN10N G
- ipi35cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI200N25N3 G
- ipi200n25n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI200N15N3 G
- ipi200n15n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI16CNE8N G
- ipi16cne8n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 53A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3230pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI16CN10N G
- ipi16cn10n.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI120N06S4-03
- ipi120n06s4.03
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК