Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPI12CN10N G
- ipi12cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4320pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI14N03LA
- ipi14n03la
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1043pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI126N10N3 G
- ipi126n10n3.g
- Infineon
- TO262-3/N-KANAL POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI12CNE8N G
- ipi12cne8n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4340pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI139N08N3 G
- ipi139n08n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI147N12N3 G
- ipi147n12n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI120N06S4-H1
- ipi120n06s4.h1
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI120N04S3-02
- ipi120n04s3.02
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14300p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI120N06S4-02
- ipi120n06s4.02
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI120N04S4-01
- ipi120n04s4.01
- Infineon
- TO262-3/OptiMOS-T2 Power-Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100N08S2-07
- ipi100n08s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI11N03LA
- ipi11n03la
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI111N15N3 G
- ipi111n15n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100N08N3 G
- ipi100n08n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100P03P3L-04
- ipi100p03p3l.04
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100N10S3-05
- ipi100n10s3.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 176nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 115
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI110N20N3 G
- ipi110n20n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100N06S3L-04
- ipi100n06s3l.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 362nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17270pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100N06S3L-03
- ipi100n06s3l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 550nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26240pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI100N06S3-04
- ipi100n06s3.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 314nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14230pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК