Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPB60R600CP
- ipb60r600cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.1A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N08S2L-07
- ipb80n08s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 233nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N08S2-07
- ipb80n08s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S4L-07
- ipb80n06s4l.07
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S4L-05
- ipb80n06s4l.05
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S4-07
- ipb80n06s4.07
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S4-05
- ipb80n06s4.05
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S3L-06
- ipb80n06s3l.06
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9417pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S3L-05
- ipb80n06s3l.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 69A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 273nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13060pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S3-07
- ipb80n06s3.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7768pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S3-05
- ipb80n06s3.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 63A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10760pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S2L-H5
- ipb80n06s2l.h5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S2-05
- ipb80n06s2.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5110pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N04S3-H4
- ipb80n04s3.h4
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N04S3-06
- ipb80n04s3.06
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N04S3-04
- ipb80n04s3.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N04S3-03
- ipb80n04s3.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N04S2L-03
- ipb80n04s2l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 213nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N03S4L-03
- ipb80n03s4l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N03S4L-02
- ipb80n03s4l.02
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК