Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IPB530N15N3 G

IPB530N15N3 G

  • ipb530n15n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB50R299CP

IPB50R299CP

  • ipb50r299cp
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB50N10S3L-16

IPB50N10S3L-16

  • ipb50n10s3l.16
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4180pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB50R199CP

IPB50R199CP

  • ipb50r199cp
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB50R250CP

IPB50R250CP

  • ipb50r250cp
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1420pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB50R140CP

IPB50R140CP

  • ipb50r140cp
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 550V 23A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2540pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB50CN10N G

IPB50CN10N G

  • ipb50cn10n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB47N10SL-26

IPB47N10SL-26

  • ipb47n10sl.26
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB47N10S-33

IPB47N10S-33

  • ipb47n10s.33
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB45N06S3-16

IPB45N06S3-16

  • ipb45n06s3.16
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB45N06S4L-08

IPB45N06S4L-08

  • ipb45n06s4l.08
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB45N06S3L-13

IPB45N06S3L-13

  • ipb45n06s3l.13
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB45N06S4-09

IPB45N06S4-09

  • ipb45n06s4.09
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB34CN10N G

IPB34CN10N G

  • ipb34cn10n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB26CN10N G

IPB26CN10N G

  • ipb26cn10n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB260N06N3 G

IPB260N06N3 G

  • ipb260n06n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.7 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB320N20N3 G

IPB320N20N3 G

  • ipb320n20n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G

  • ipb26cne8n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

  • ipb25n06s3l.22
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

  • ipb25n06s3.25
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1862pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь